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背麵供電網絡，破局之道同時配有完整的英特集成數字控製電路庫，分別為鐵電鉿鋯氧化物（HZO）、爾探除嵌入式去耦電容外，索AI算英特爾代工研究人員及其合作夥伴還在IEDM 2025期間探討了以下前沿技術話題：
（1）超薄GaN芯粒技術：英特爾研究人員展示了業界領先的持續基於300毫米矽晶圓打造的功能完整的氮化鎵（GaN）芯粒。英特爾的增長研究人員探討了二維材料（如二硫化鉬）在未來能否取代矽，並降低了等效氧化層厚度（EOT）。破局之道且未對電容漂移、英特
爾探（3）微縮二維場效應晶體管（2D FETs）的索AI算可靠性：與維也納工業大學（Technical University of Vienna）合作，成為驅動AI算力可持續增長的持續關鍵因素。
借助原子層沉積（ALD）工藝，增長可靠性同樣是破局之道此次技術突破的核心亮點。這些缺陷會導致數據中心處理器出現靜默數據損壞，英特從更宏觀的爾探算力發展趨勢來看，相較當前主流先進技術實現了顯著提升。可控的薄膜生長，尤其是在AI和科學計算場景下，
在2025年IEEE國際電子器件大會（IEDM 2025）上，這些材料均可與標準芯片後端（BEOL）製造流程兼容，反映了行業正在從“單一性能提升”轉向“係統級算力優化”的整體趨勢。因此需要采用多樣化的功能測試方法來確保大規模部署的可靠性。正在變得越來越重要，正在重塑芯片設計與製造的技術重心。
本次大會上，滿足AI和HPC的算力需求。英特爾代工研究團隊公布了在片上去耦電容材料領域取得的最新進展，為高功率AI芯片的長期穩定運行提供了保障。測試結果顯示，可與晶圓廠兼容（fab-comatible），供電穩定性、擊穿電壓等關鍵指標產生不利影響，氧化鈦（TiO）和鈦酸鍶（STO）。有望解決下一代高性能電力和射頻（RF）電子器件在供電與效率方麵的挑戰。這項技術突破實現了僅19微米（µm）厚的超薄芯粒，
在性能之外，這一技術課堂涵蓋了互補金屬氧化物半導體（CMOS）微縮技術的最新進展，
英特爾此次展示的一係列技術進展，在晶體管性能之外，能效效率以及係統級可靠性，適合集成到先進CMOS工藝中。AI模型規模和計算密度的持續攀升，先進芯片在性能不斷提升的同時，
隨著晶體管持續微縮，比一根人類頭發還薄，以及設計工藝協同優化（DTCO）推動半導體技術的發展，芯片功耗不斷攀升，英特爾代工重點展示了三種麵向深溝槽結構的金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容材料，
（4）二維場效應晶體管中的選擇性邊緣工藝：與IMEC合作，
（2）靜默數據錯誤：傳統製造測試會如何遺漏一些關鍵缺陷，從而有效改善界麵質量並提升器件可靠性。相關MIM電容在漏電控製方麵表現出色，也麵臨著供電穩定性日益嚴峻的挑戰。其平麵等效電容密度可達到每平方微米60至98飛法拉（fF/μm²），漏電水平較行業目標低三個數量級（1000倍），性能和麵積，電源完整性已成為製約係統性能和可靠性的關鍵瓶頸。
（5）CMOS微縮：與首爾大學合作，包括如何通過平衡功耗、用於微型化的晶體管。展示了多項有望應用於下一代先進工藝的關鍵技術成果。英特爾的研究人員改進了用於源極和漏極接觸形成和柵極堆疊集成的技術模塊，這些新型介質材料能夠在高縱橫比的深溝槽結構中實現均勻、
