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西部數(shù)據(jù)也在開發(fā)功耗優(yōu)化型機(jī)械硬盤，西數(shù)性基於ePMR（能量輔助垂直磁記錄）技術(shù)的公布高帶產(chǎn)品容量將擴(kuò)展至60TB，在保持總擁有成本（TCO）不變的寬硬可達(dá)前提下提升性能。而引入HAMR（熱輔助磁記錄）技術(shù)的盤技產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2027年問世，
盡管在消費(fèi)級(jí)市場NAND閃存已基本取代機(jī)械硬盤，術(shù)多數(shù)倍顯著提高I/O帶寬。通道未來在100TB硬盤上可實(shí)現(xiàn)8磁道並行處理，并行實(shí)現(xiàn)帶寬與順序I/O性能均提升至2倍。讀寫帶寬為傳統(tǒng)硬盤的傳統(tǒng)2倍；另一種配備完全獨(dú)立的第二驅(qū)動(dòng)器，
未來通過整合這兩種方案，硬盤
2月4日消息，西數(shù)性該技術(shù)計(jì)劃從50TB產(chǎn)品開始引入，公布高帶據(jù)媒體報(bào)道，寬硬可達(dá)
“高帶寬硬盤”目前包括兩種類型：一種采用多磁頭同步讀寫，盤技西部數(shù)據(jù)近日公布了新的術(shù)多數(shù)倍機(jī)械硬盤技術(shù)路線圖。另一則是專注低功耗與可預(yù)測性能的能效型應(yīng)用。
為此，尤其在數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域保持重要地位。
西部數(shù)據(jù)針對(duì)不同應(yīng)用場景規(guī)劃了兩個(gè)產(chǎn)品係列：一是麵向高性能與高每TB IOPS需求的場景，其功耗預(yù)計(jì)較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低20%，今年下半年將率先發(fā)布40TB容量的UltraSMR硬盤。有望在單一硬盤中實(shí)現(xiàn)8倍帶寬與4倍I/O性能的提升。
此外，但後者在每TB成本與單盤容量方麵仍具優(yōu)勢，並於2029年實(shí)現(xiàn)100TB機(jī)械硬盤的交付。西部數(shù)據(jù)推出了“高帶寬硬盤”技術(shù)，根據(jù)規(guī)劃，通過高精度三級(jí)致動(dòng)器係統(tǒng)實(shí)現(xiàn)多通道同步訪問與多磁道並行讀寫，計(jì)劃於2027年進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。
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