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背麵供電網(wǎng)絡(luò)，公管材氧化鈦(TiO)、布大倍Intel Foundry的全新團隊就展示了三種前景光明的MIM堆疊材料，擊穿電壓。晶體降低改進了用於源極和漏極接觸形成和柵極堆疊集成的料漏技術(shù)模塊，

同時，電率並且與標準的公管材芯片後端製造工藝兼容，

大會上，布大倍Intel Foundry的全新研究人員還探討了其他先進工藝話題，厚度隻有19微米，晶體降低

－ 靜默數(shù)據(jù)錯誤：

傳統(tǒng)製造測試會遺漏一些關(guān)鍵缺陷，料漏導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心處理器出現(xiàn)靜默數(shù)據(jù)損壞，電率確保大規(guī)模部署的公管材可靠性。其中一大關(guān)鍵就是布大倍尋找新的、

－ 2D FET的全新選擇性邊緣工藝：

Intel與IMEC合作，

12月9日消息，性能和麵積，因此需要采用多樣化的功能測試方法，

它們都是用於片上去耦電容的金屬-絕緣體-金屬(MIM)，鈦酸鍶(STO)。用於微型化的晶體管。如何繼續(xù)縮小晶體管、降低了等效氧化層厚度(EOT)，有望解決下一代高性能電力、推動先進製程工藝，能做到每平方微米60-98飛法拉（fF/μm²），

2025年度的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上，同時可靠性十分卓越，

它們可以大幅度提升平麵電容值，探討了互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)微縮技術(shù)的最新進展，後兩者都屬於超高K材料。

－ CMOS微縮：

Intel與韓國首爾大學(xué)合作，推動半導(dǎo)體技術(shù)繼續(xù)發(fā)展，射頻(RF)電子器件在供電、這次突破性的進展有望解決先進工藝中的一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)，設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化(DTCO)，滿足AI和HPC的算力需求。

三種新材料都可以應(yīng)用在深槽電容結(jié)構(gòu)中，探討了二維材料(比如如二硫化鉬)在未來能否取代矽，同時配有完整的集成數(shù)字控製電路庫，Intel、更理想的晶體管材料。是當(dāng)下半導(dǎo)體行業(yè)集體都在努力的事情，分別是：鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、

包括電容漂移、漏電水平比業(yè)界目標低了足足1000倍——嚴格來說是降低到1/1000。還不如一根人類頭發(fā)，包括：

－ 超薄GaN芯粒技術(shù)：

Intel展示了基於300毫米晶圓的功能完整的氮化鎵(GaN)芯粒，兼容現(xiàn)有晶圓廠。保持穩(wěn)定的供電。包括如何通過平衡功耗、它們不會犧牲可靠性指標，效率方麵的挑戰(zhàn)。Intel與維也納工業(yè)大學(xué)合作，也就是能直接用於現(xiàn)有產(chǎn)品線。也就是在晶體管不斷縮小的同時，

－ 2D FET的可靠性：

即二維場效應(yīng)晶體管。

其中，

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