国家发改委：存储芯片处于上涨周期 年内延续上涨 将向下游传导新聞
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2月28日消息，发改今日，委存国家发改委价格监测中心发文称，储芯2025年9月至今，片处受需求“爆发式”增长、于上游传产能“断崖式”紧缺等因素影响，涨周涨全球存储器市场缺口扩大，期年存储芯片价格持续上涨，内延近1个月多以来，续上向下涨幅呈现扩大态势，发改建议关注存储芯片对下游价格的委存影响。
一、储芯近期存储芯片价格大幅快速上涨
调研反映，片处截至今年1月，于上游传存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。涨周涨
以主流型号为例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合约平均价格为11.5美元，比上月上涨约24%，比2025年9月上涨约83%；NAND闪存（128Gb 16G*8 MLC）合约平均价格为9.5美元，比上月上涨约65%，比2025年9月上涨近1.5倍。
从上涨原因来看，存储芯片价格上涨主要受到需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺以及下游“恐慌性”囤货等因素影响。
一是AI算力增长带动高端存储需求增加。
集邦咨询预计，2026年全球AI服务器出货量同比增长超28%，加上单台AI服务器的内存需求达到传统服务器的8倍左右，AI服务器、数据中心对高带宽、大容量存储芯片的需求将呈“爆发式”增长。
同时，2025年四季度以来，智能手机等电子产品新款集中上市，对消费级存储需求有所支撑。
二是存储巨头生产策略叠加产能周期的刚性约束，加剧市场供应紧张。
三星、SK海力士、美光三大厂商垄断了全球90%以上的DRAM产能，头部厂商采取“减产保价”“弃低追高”策略，将80%以上先进产能转向高毛利率的高带宽内存，减少成熟制程的产能比重，导致消费级存储芯片供应紧缺。
同时，存储芯片扩产周期长，晶圆厂建设需1.5—2年，新增产能短期内难以释放。
三是硅片、六氟化钨、金属等原材料价格上涨从成本端提供一定支撑。
2025年，12英寸硅片、六氟化钨、银、铜等芯片制造原材料价格不同幅度上涨。
此外，随着市场看涨情绪升温，消费电子、AI服务器厂商、智能汽车等下游领域的恐慌囤货也对近期价格走高起到推波助澜作用。
二、存储芯片价格上涨将向下游传导
当前，存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。
存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。随着AI应用渗透率提升，消费者对高端化、智能化的消费电子产品的偏好增强，消费升级趋势明显，对内存性能的要求更高。
厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。
目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函，涨幅普遍在500~1500元之间，小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300—500元。
受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响，PPI方面，计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳，对PPI的拖累作用有所减弱。
CPI方面，叠加提振消费政策效果持续显现，通讯工具分项价格将继续回升。
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