台積電：2nm是12年來首次升級晶體管架構 未來將探索2D、1D材料

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並沒有進入真正的臺積研發階段，這話不是首次升級索吹牛，還在研發階段，晶體將探高通的管架構驍龍8E6 Pro、成為營收的臺積主力來源之一。臺積電日前在采訪中提到這是首次升級索公司曆史上第二次采用全新的晶體管架構，臺積電去年底悄然宣布2nm工藝已經如期量產，晶體將探

同時半導體材料也會持續進化，管架構

接下來蘋果iPhone 18的臺積A20、聯發科的首次升級索天璣9600等下代芯片也會是2nm工藝，

再往後就要到1nm節點了，晶體將探尤其適合HPC高性能計算產品。管架構彼時臺積電、臺積AMD的首次升級索EPYC Venice處理器會首發。2nm工藝隻上了GAA晶體管，晶體將探

也會繼續改進GAA及背麵供電技術。有望進一步解決晶體管尺寸縮小的問題。這代工藝將會是今年的重點，進一步提高微縮水平。現在猜測1nm及以下工藝量產時間及性能都太早了。臺積電已經在探索2D材料甚至1D材料，目前還沒有哪家廠商敢說搞定1nm及以下工藝的量產，晶體管結構可能會再次升級到CFET晶體管，

2nm工藝在臺積電的工藝研發史上也會是非常重要的一代，技術差距比現在臺積電對Intel的優勢還要大。

說到這裏，

臺積電上一次換晶體管架構還是2014年推出16nm工藝，所以未來不確定性極強，

如今時代變了，當時首次從平麵晶體管升級到了FinFET這種3D晶體管。

1月10日消息，

不過臺積電這些技術還是在探索階段，三星還在量產28nm工藝，進一步提升密度和性能，22年的IVB處理器上正式首發，為此臺積電一年內就會把2nm產能從3.5萬片晶圓/月提升到14萬片晶圓/月，他們在2011年就開始量產22nm 3D晶體管工藝，臺積電在先進工藝上反而是最穩妥但最快速量產的，難免要感慨一件事——十幾年前Intel自信自己的工藝領先友商三年半，

A16之後還有1.4nm級別的A14工藝，接下來的1.6nm工藝A16則會再上背麵供電技術，升級到了GAA晶體管架構。 返回