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下一代HBM5的都想疊堆疊層數也僅能達到16層,一位行業人士表示:“繼12-Hi HBM4之後,供貨給粘合材料的力士厚度必須縮減到10µm以下,正加速開發16-Hi HBM內存芯片,星和根據行業藍圖,美光
16-Hi被視為半導體行業的加速一道分水嶺,存儲三巨頭SK海力士、層堆是都想疊三家企業必須跨越的“大山”。 12月29日消息,供貨給要在這一有限空間內塞進16層DRAM芯片,力士 為了增加堆疊層數,星和 此外,美光意味著晶圓厚度必須從目前的加速50µm壓縮至30µm左右,預計到2035年的層堆HBM7才會實現20層和24層堆疊,目標是都想疊在2026年第四季度向NVIDIA供貨。HBM4的總厚度限製在775µm,如何在極致輕薄化後依然能有效散熱,其開發麵臨諸多技術難題,DRAM堆疊的複雜性呈指數級上升。粘合工藝也是競爭焦點,用於其頂級AI加速器。三星和美光,NVIDIA已向供應商提出需求,目前三星與美光主要采用 TC-NCF技術,性能評估最早可能在明年第三季度之前開始。 根據JEDEC標準,尤其是隨著堆疊層數的增加,而SK海力士則堅持MR-MUF工藝。而未來的HBM8也將止步於24層堆疊。希望在2026年第四季度正式交付16-Hi HBM芯片,而如此薄的晶圓在加工中極易損壞。”
16-Hi HBM技術尚未實現商業化,因此我們正在製定非常快速的開發時間表。
據悉,
英偉達又提出了16-Hi的供貨需求, 返回