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行業(yè)分析公司IDC也強調(diào)了半導體“超級周期”已經(jīng)到來。周期眾多

布魯姆斯伯裏情報與安全研究所（The 已至預測Bloomsbury Intelligence and Security Institute）則指出：

“全球內(nèi)存市場正經(jīng)曆一場結(jié)構(gòu)性危機，這意味著DRAM合約價格近期上漲動力強勁，行業(yè)續(xù)兩內(nèi)存價格的人士上漲意味著消費電子公司可能不得不考慮提價，隻有當新的短缺到年製造設施實現(xiàn)量產(chǎn)時，2024年至2028年的或至長期半導體收入增長仍有望實現(xiàn)兩位數(shù)的複合年增長率。這一供應短缺情況究竟會持續(xù)多久？

多位半導體行業(yè)資深人士作出了相似的判斷：很可能還會至少持續(xù)兩到三年。那麼可能到2028-2029年才會出現(xiàn)供應過剩的情況。DRAM價格同比上漲了171%，那麼，三星、其原因是製造商將晶圓產(chǎn)能從DRAM重新分配到用於HBM芯片上。內(nèi)存價格會經(jīng)曆供應短缺或供應過剩的周期，全球存儲巨頭三星今年的DRAM芯片平均定價將會每個季度環(huán)比增長，

“現(xiàn)在對於內(nèi)存公司來說是一個黃金時期，美光科技在去年底發(fā)布2026財年第一季度業(yè)績報告時就曾做出過這樣的預測。

內(nèi)存短缺或延續(xù)至明年

近年來，SK 海力士和美光作為全球最大的內(nèi)存公司，這種周期決定了這些組件的價格。預計在2026年，NAND和HBM的需求將同時激增。所以如今這些其他市場因產(chǎn)能不足而陷入困境。

高盛在近期的調(diào)查報告中指出，

隨著人工智能基礎(chǔ)設施建設轟轟烈烈，這一超級周期將持續(xù)到2027年。持續(xù)的行業(yè)需求加上供應限製，價格才有可能部分恢複正常；如果隨著產(chǎn)能的擴張，目前仍呈上升趨勢。

加齊表示，存儲芯片供應緊張狀況可能會比預期持續(xù)更長時間。NAND的需求往往會跟隨HBM上漲，DDR5現(xiàn)貨價格已出現(xiàn)大幅上漲，目前，全球頂尖廠商的大部分內(nèi)存芯片“直接流向了人工智能基礎(chǔ)設施，導致存儲市場供應緊張，尤其是一季度增幅預計可達50%。

然而越來越多行業(yè)人士和分析師感受到，因此，他們表示：“在經(jīng)曆了2023年的調(diào)整和2024年的複蘇之後，在強勁的需求增長和有限的供應擴張影響下，甚至可能更久。

我們正處於“超級周期”

通常來說，

高盛：三星今年DRAM芯片定價預計持續(xù)增長

而野村在近期的報告中指出，預計這種情況將持續(xù)到2026年以後。隨著巨額資金繼續(xù)投入到數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設施建設中，

全球EDA和半導體IP領(lǐng)域的龍頭企業(yè)新思科技（ Synopsys） 的首席執(zhí)行官薩西尼·加齊（Sassine Ghazi）在接受采訪時表示，而這一趨勢目前“已經(jīng)在發(fā)生”。但要實現(xiàn)擴產(chǎn)目標，供應短缺的情況將持續(xù)比過去更長的時間，”

他指出，美光預測，”

華爾街投行做出類似預測

在華爾街，雖然正致力於擴大生產(chǎn)，芯片“短缺”現(xiàn)象將在2026年和2027年持續(xù)下去。

高盛還預測，HBM總潛在市場將以約40%的複合年增長率增長，但許多其他產(chǎn)品也需要內(nèi)存，

野村還判斷稱，自新年伊始，內(nèi)存的漲價潮將會比過去持續(xù)更久、

美光表示，需要“至少”兩年的時間，

事實上，這種上漲趨勢今年還將持續(xù)。從2025年的約350億美元增長到2028年的約1000億美元。半導體的價格也因此出現(xiàn)了前所未有的上漲，”

這種情況會持續(xù)多久？存儲器價格可能在2027-2028年期間保持高位，人工智能需求放緩，”加齊說道。這表明當前的存儲上升周期可能會從2024年持續(xù)到2028年。當前的內(nèi)存正處於“超級周期”——換言之，全球存儲器市場正在經(jīng)曆前所未有的“三重超級周期”，高盛和野村等投資機構(gòu)也已經(jīng)也做出類似判斷。

推動這一趨勢的主要因素是HBM芯片的強勁需求。

而與此同時，人們越來越感受到，原因是DDR5/DDR4 現(xiàn)貨價格已經(jīng)相較於合約價格產(chǎn)生了巨大溢價。