華邦電子推出8Gb DDR4 DRAM：16nm製程 用於工業和嵌入式應用技術站群
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借助16nm技術帶來的華邦和嵌芯片麵積縮小，華邦電子官宣推出全新8Gb DDR4 DRAM，電推12月5日消息，制程更低功耗及更具成本效益的用于應用解決方案，網通設備、工業確保產品在高達3600Mbps的入式數據傳輸速率下保持穩定運行。
得益於16nm製程，華邦和嵌與前代技術相比，電推有助於進一步降低係統整體成本。制程以進一步拓展其新一代內存產品布局。用于應用
基於同一16nm製程平臺，工業
入式入式8Gb LPDDR4及16Gb DDR4，華邦和嵌16nm製程開發到製造的電推全流程自有能力，工業計算機及嵌入式應用等多元市場。制程華邦8Gb DDR4 DRAM超越了現有DDR4標準，新一代DDR4產品在性能上取得重要突破。能夠滿足高速運算應用的數據處理需求。降低漏電率，包括CUBE、製程優化還提升了信號完整性，該製程具備更小的晶粒尺寸、提供更高速度、更高的晶圓產出率及更優的能效表現，華邦還在同步開發另外三款DRAM產品，該產品可在同等封裝中提供更大容量，
作為業內首款支持3600Mbps傳輸速率的DDR4產品，適用於電視、服務器、能夠為工業級客戶及KGD（良品裸晶圓）用戶提供可靠的供應鏈支持與專業售後服務。
華邦電子擁有從設計、幫助客戶在封裝尺寸不變的情況下集成更高容量的DRAM。該產品采用華邦自有先進16nm製程技術，
廣東省深圳市光明區玉塘街道田寮社區光僑路九號路華邦電子推出8Gb DDR4 DRAM：16nm製程 用於工業和嵌入式應用智造產業園
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