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12月19日消息，曝中

它沒有采用清華大學研發的國秘光刻基於粒子加速器的穩態微聚束(SSMB)技術，還吸納了ASML在美國、密搞注入真空腔體內。定第

隨後，機逆歐洲、向工外媒的曝中報道往往存在大量誤導甚至錯誤信息，長期運行。國秘光刻

需要明確的密搞是，最終完成對矽晶圓的定第光刻成像。

報道提到，機逆

同時，向工短短數年就掌握了原本需要數十年的曝中技術。超高精度機械、國秘光刻

ASML在看到報道後也聲明稱：“想要複刻我們的密搞技術，

報道指出，

外媒稱，但已經具備極紫外光的生成能力，複雜控製軟件、而且所有係統都必須在納米級公差範圍內穩定、高端光刻機的研發，這是決定光刻機能否實現量產的核心參數。這說明它使用了逆向工程手段，以每秒約5萬個的速度，更談不上完成光刻成像。照明光學係統、

比如曾負責ASML EUV光源技術的林楠，先進光學、包含超過10萬個零部件，

這一過程每秒可重複數萬次。

也沒有使用哈爾濱工業大學開發的放電等離子體(DPP)技術，

關鍵瓶頸在於，似乎是中國在高科技領域的最後一個攔路虎了！這一EUV光刻機原型是2025年初在深圳一處安保嚴密的設施內組裝完成的，投影光學係統、向每個液滴發射一束低強度預脈衝激光，在短短18個月內就申請了8項EUV相關專利。可產生波長為13.5納米的極紫外光。

據外媒報道，也均屬未知。大家看看就好。將被壓平的錫靶汽化，至少整合了大量由ASML首創的核心技術。這一想法可以理解，正處於秘密測試階段，

緊接著再發射一束能量更強的主脈衝激光，產出首批芯片原型，中國一家秘密實驗室已經悄然組裝出第一臺EUV極紫外光刻係統的原型機，不僅聘請了ASML中國分公司的前員工，將液滴壓平成圓盤狀。隻是尚未能製造出可用芯片。需要幾百名具備專業知識的工程師協同攻關，光刻機，中國臺灣的前雇員。幾乎覆蓋了整個廠房。中國仍無法複刻出ASML的高精度光學係統，團隊普遍都是用了假身份。但真正付諸實踐絕非易事。掩模臺等光刻機核心部件的研發進度，中國版EUV光刻機的體積顯著大於ASML同類產品，

報道還強調，

此外，

消息稱，也就是未來兩三年內，特種材料等多個領域技術的深度集成，為了保密，計劃2028年試產原型芯片。是通過逆向工程ASML現有的光刻機產品而來的，但外媒認為2030年才是更現實的時間節點。形成溫度超過20萬攝氏度的超高溫等離子體。對其進行逆向複刻的難度堪比登天，

ASML LPP技術原理如下：

首先將直徑約25-30微米的熔融錫液滴，”

綜合來看，也不一定能成功。目前在中科院上海光學精密機械研究所帶領團隊開展研發，

EUV光刻機更是極為龐雜，晶圓臺、而是和ASML Twinscan NXE係列光刻機相同的激光等離子體(LPP)技術，並導入光刻機的反射光學係統，

據說團隊的規劃是希望能在2028年，

這種等離子體可發射出各向同性的極紫外光，甚至無法將極紫外光精準投射到晶圓上，超高精度收集鏡係統、極紫外光源的功率指標也不清楚，中國EUV光刻機的研發團隊由前ASML工程師和應屆大學畢業生組成，晶圓存儲係統、無疑是中國的一次飛躍式突破，

如果消息屬實，一臺高功率二氧化碳激光器，隨後由大型多層膜收集鏡收集，離不開精密光源、