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2026-03三星将关闭最后的2D NAND产线 改造升级生产1c DRAM
發布時間:2026-03-02 01:01:02 來源:三星将关闭最后的2D NAND产线 改造升级生产1c DRAM 點擊數:9535
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2月26日消息,关闭改造据媒体报道,最后随着存储芯片技术持续迭代,产线三星正加速告别传统工艺。升级生产自2013年率先量产3D V-NAND闪存以来,关闭改造三星逐步将传统的最后2D NAND产线转向3D堆叠架构。
时隔十余年,产线这条技术过渡路线迎来了重要节点:三星最后一条2D NAND产线即将正式退出历史舞台。升级生产这条位于华城12号的关闭改造生产线目前月产能约8万至10万片12英寸晶圆,三星最早将于3月停止其运营。最后
不过,产线这并非简单的升级生产关停,而是关闭改造产线角色的转换——它将被改造为DRAM后处理车间,专注于金属布线和表面处理等前端工艺完成后的最后后续工序。升级之后,产线该产线将分担华城工厂其他DRAM生产线的工作量,从整体上提升生产效率。
事实上,这一调整早有迹可循。三星电子在去年第四季度的财报中已透露,将从传统工艺向先进工艺过渡,包括停止生产传统的2D NAND。
当前,2D NAND主要应用于U盘等低成本存储设备,但随着3D NAND的普及,市场需求已大幅萎缩,主要NAND厂商均已基本完成向3D闪存的过渡。
此番华城12号线升级完成后,三星的产能布局将更加清晰:华城工厂将全力生产DRAM内存,而平泽工厂则继续兼顾DRAM、NAND生产。
值得注意的是,原本平泽P4产线混用DRAM、NAND和晶圆代工生产,如今新的规划倾向于聚焦1c DRAM的生产。与此同时,三星位于西安的工厂将继续负责NAND生产,并同步推进产线工艺的转换。
三星此次产线调整,不仅是为了优化资源配置,更是为下一代高带宽内存(HBM4)铺路——改造后产出的1c DRAM,正是HBM4的重要基础。根据三星的规划,预计今年下半年,1c DRAM的总晶圆产能将达到每月约20万片。


