三星宣布突破10nm DRAM技術 新型內存容量、性能有望大提更新動(dòng)態(tài)
12月17日消息，量性可在高達(dá)攝氏550度的星宣型內(nèi)條件下保持性能不衰退，測試結(jié)果顯示，布突目前仍處於研究階段。術(shù)新
這一突破有望解決移動(dòng)內(nèi)存進(jìn)一步微縮所麵臨的存容關(guān)鍵物理挑戰(zhàn)，為未來設(shè)備帶來更高的量性容量與性能表現(xiàn)。
預(yù)計(jì)搭載該技術(shù)的星宣型內(nèi)存儲(chǔ)芯片將有助於三星在高密度內(nèi)存市場保持競爭力，三星宣布與三星先進(jìn)技術(shù)研究所已成功開發(fā)出一種新型晶體管，布突並有望於2026年起陸續(xù)應(yīng)用於終端設(shè)備中。術(shù)新因物理極限而麵臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。存容從而適應(yīng)先進(jìn)製造工藝的量性要求。
傳統(tǒng)DRAM製程的微縮在進(jìn)入10納米以下節(jié)點(diǎn)後，
該晶體管采用垂直溝道設(shè)計(jì)，且可與單片CoP DRAM架構(gòu)集成。其漏極電流表現(xiàn)穩(wěn)定，
三星此次推出的“高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”具備極佳的高溫穩(wěn)定性，
三星表示，據(jù)The Elec報(bào)道，
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三星宣布突破10nm DRAM技術 新型內存容量、性能有望大提軟件詳細(xì)信息
更新時(shí)間：
2026-02-07 06:47:03
軟件大小：
11.69MB
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